场效应MOS管STW14NM50的参数如下：
最大耗散功率（PD）: 175W
最大漏源电流（ID）: 14A
漏源击穿电压（V（BR）DSS）: 500V
RDS（ON）内阻: 0.35Ω
VRDS（ON）ld通态电流: 6A
VRDS（ON）栅极电压: 10V
VGS（th）V开启电压: 3~5V
VGS（th）ld（μA）开启电流: 250μA
建议在实际应用中根据具体需求选择合适的参数，以确保电路的稳定性和可靠性。
场效应MOS管STW14NM50的参数如下：
最大耗散功率（PD）: 175W
最大漏源电流（ID）: 14A
漏源击穿电压（V（BR）DSS）: 500V
RDS（ON）内阻: 0.35Ω
VRDS（ON）ld通态电流: 6A
VRDS（ON）栅极电压: 10V
VGS（th）V开启电压: 3~5V
VGS（th）ld（μA）开启电流: 250μA
建议在实际应用中根据具体需求选择合适的参数，以确保电路的稳定性和可靠性。
